BPX63 Datasheet | Siemens Semiconductor Group

BPX 63 Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q Sperrstromarm (typ. 5 p A) q TO-18, Bodenplatte, mit klarem Epoxy Gießharz Anwendungen q Belichtungsmesser, Belichtungsautomaten Features q Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm q Low reverse current (typ. 5 p A) q TO-18, base plate, transparent epoxy resin lens Applications q Exposure meters, automatic exposure timers Typ Type BPX 63 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P55 Semiconductor Group 10.95 fet06012 BPX 63 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 80 230 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS VR Ptot 7 200 V m W Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value 10 (≥ 8) 800 350 ... 1100 Einheit Unit n A/Ix nm nm λS max λ S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 1 V Dark current A L×B L×W H 0.97 0.985 × 0.985 mm2 mm 0 0.8 mm ϕ ± 75 5 (≤ 20) Grad deg. p...