BPX63 - Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current
Siemens Semiconductor Group (now Infineon)
General Description
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Sym
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BPX 63 Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unle...
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BPX 63 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q Sperrstromarm (typ. 5 pA) q TO-18, Bodenplatte, mit klarem EpoxyGießharz Anwendungen q Belichtungsmesser, Belichtungsautomaten Features q Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm q Low reverse current (typ. 5 pA) q TO-18, base plate, transparent epoxy resin lens Applications q Exposure meters, automatic exposure timers Typ Type BPX 63 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P55 Semiconductor Group 361 10.
BPX63 Datasheet
