BPX65 Datasheet | Siemens Semiconductor Group

BPX 65 BPX 66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit q BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 p A) q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 o C1) Anwendungen q schneller optischer Empfänger mit groβer Modulationsbandbreite Typ Type BPX 65 BPX 66 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P27 Q62702-P80 Features q Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm q BPX 65: high photosensitivity q BPX 66: low reverse current (typ. 150 p A) q Hermetically sealed metal package (TO-18), suitable up to 125 o C1) Applications q Fast optical sensor of high modulation bandwidth Gehäuse Package 18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Gehäuse, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (2/10”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically sealed package, solder tabs 2.54 mm (2/10”) lead spacing, anode marking: projection at package bottom 1) 1) Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 o C For operating conditions of TA > 85 o C please contact us. Semiconductor Group BPX 65 BPX 66 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 o C Total power dissipation Symbol Symbol Top; Tstg TS Wert Value - 40 ... +80 230 Einheit Unit o C o C VR Ptot 50 250 V m W Kennwerte (TA = 25 o C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 o C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit...