Datasheet Summary
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
SFH 3400
Chip position
1.1 1.0 0.3 0.2
4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3
0.8 0.6
Collector
2.7 2.5
Emitter
GEO06953
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im
2.1 1.9
0.5 0.3 1.1 0.9
0.1 0.0 not connected
Features q Especially suitable for applications from
Bereich von 460 nm bis 1080 nm q Hohe Linearität q SMT-Bauform ohne Basisanschluß,
460 nm to 1080 nm q High linearity q SMT package without base connection, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) q Nur gegurtet lieferbar Anwendungen q...
