Datasheet Summary
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
2.84 2.24
SFH 405
2.7 2.5
2.1 1.5 2.54 spacing Collector (SFH 305) Cathode (SFH 405)
1.15 0.90
1)
0.5 0.4
Approx. weight 0.02 g
GEO06137
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Strahlstärke q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 305 Anwendungen q Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High radiant intensity q High pulse handling...
