Datasheet Summary
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters
SFH 415 SFH 416
Cathode 29 27 9.0 8.2 spacing 2.54mm
0.4 0.8
1.8 1.2
7.8 7.5
5.9 5.5
0.4 0.6
Area not flat Chip position Approx. weight 0.2 g
GEO06645
0.6 0.4
2.54 mm spacing
0.8 0.4
Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5
5.9 5.5
ø5.1 ø4.8
Approx. weight 0.4 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt q q q q q
Features q GaAs infrared emitting diodes, fabricated in q q q q q im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit SFH...
