Siemens BP104FS
Silicon Phototransistor
FEATURES
q Especially suitable for applications of 950 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q DIL plastic package with high packing density q BP 104 FS: suitable for vapor-phase and IR-reflow solderingAPPLICATIONS
q IR remote control of hi-fi and TV sets, Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb video tape recorders, dimmers, remote controls of various equipment q Photointerrupters Typ (*vorher) Type (*formerly) BP 104 F (*BP 104 ) BP 104 FS GrenzwerteMAXIMUM RATINGS
BezeichnungDESCRIPTION
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P84 Q62702-P1646 Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 85 20 150 Einheit Unit °C V mW Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Top; Tstg VR Ptot Semiconductor Group 2 1997-11-19 BP 104 F BP 104 FS Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics BezeichnungDESCRIPTION
Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max.