Q62702P1137 Datasheet | Siemens Semiconductor Group

Features q Ga As infrared emitting diodes, fabricated in q q q q q im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen Sehr hoher Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 a liquid phase epitaxy process Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents High efficiency High reliability High pulse handling capability SFH 415: Same package as SFH 300, SFH 203 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers q Remote control of various equipment Semiconductor Group 1999-02-04 fexf6626 0.4 0.6 SFH 415 SFH 416 Typ Type SFH 415 SFH 415-T SFH 415-U SFH 416-R .. Bestellnummer Ordering Code Q62702-P296 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), schwarz eingefärbt, Anschluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: short lead Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 100 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit °C °C V m A A m W K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot Rth JA Semiconductor Group 1999-02-04 SFH 415 SFH 416 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 m A, tp = 20 ms .. Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A Abstrahlwinkel Half...