SVF2N65M Overview
士兰微电子 SVF2N65CF/M 说明书 2A、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF2N65CF/M/MJ/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体 管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的 工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开 关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 2A,650V,RDS(on)(典型值)=4.3Ω@VGS=10V.
