Datasheet Summary
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KP506B 特性
KP506B-P
Pyroelectric infrared sensor
型号 Type 封装 Encapsulation 灵敏元面积 Element Size/Type 基片材料 Window Material 基片厚度 Window Thickness 窗口尺寸 Window Size 工作波长 Pass Band 平均透过率 Transmittance
输出信号 Signal [Vp-p]
灵敏度 Sensitivity 探测率(D- )Detectivity
噪声 Noise(Vp-p)
平衡度 Balance 工作电压 Operating Voltage
工作电流 Operating Current
源极电压 Source Voltage
工作温度 Operating Temperature 保存温度 Storage Temperature 视场 Field of View
KP506B TO-5 2.0mm ×1.1mm ×Gap 0.9mm Dual,双元 硅 Si 0.5mm (.tzoic.cn) 5.2×3.8mm 7-12μm ＞75% >2.2V (420°k 黑体 1Hz 调制频率 0.3-3.0Hz 带宽 72.5db 增益) 3300V/W 1.5×108 cmHz1/2/W ＜200mV (mVp-p) (25℃) ＜20% 2.2-15V 8.5-24μA (VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)...