TF21173L Description
Advance Info TF21173L 三通道高侧栅极驱动器 特点 三 个可独立控制的高侧栅极驱动器 每个浮动高侧驱动器可自举到 600V 驱动三个 N 沟道 MOSFET 或IGBT 每个驱动器具有灌 500mA / 250mA 源的输出电流能力 负瞬态输出宽容 三个施密特触发逻辑输入自带内部电压下拉 逻辑宽电源电压范围: 10V to 20V 自带过低压锁定 扩展的工作温度范围: -40°C to +125°C 典型应用 描述 TF21173L是一个三通道的高压高速高侧栅极驱动器，能 够驱动三个N沟道 MOSFET和IGBT。我们的高压工艺使 TF21173L可自举切换到600V。每个栅极驱动器是由标准 CMOS逻辑输入独立控制。驱动器输出具有最小驱动器跨导 的高脉冲电流缓冲设计。 我们的独特 设 计 集成了三个高电压浮动井在一个芯片 上, 可以形成更紧凑的三个半桥转换器的集成电路。使用...