GT10G101 Description
GT10G101 東芝伝導度変調形電界効果トランジスタ シリコンチャネル IGBT GT10G101 ○ 直列式自動調光ストロボ用 取扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 飽和電圧が低い。 ゲート駆動電圧が低い。 : VCE (sat) = 8V (最大) (IC = 130A) : VGE = 20V (標準) (IC = 130A) 単位:.
| Part number | GT10G101 |
|---|---|
| Download | GT10G101 Datasheet (PDF) |
| File Size | 343.42 KB |
| Manufacturer | Toshiba |
| Description | Silicon N-Channel MOSFET |
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| Manufacturer | Part Number | Description |
|---|---|---|
| ETC Unknown Manufacturer |
GT10G101 | Silicon N-Channel MOSFET |
GT10G101 東芝伝導度変調形電界効果トランジスタ シリコンチャネル IGBT GT10G101 ○ 直列式自動調光ストロボ用 取扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 飽和電圧が低い。 ゲート駆動電圧が低い。 : VCE (sat) = 8V (最大) (IC = 130A) : VGE = 20V (標準) (IC = 130A) 単位:.