• Part: GT10G101
  • Description: Silicon N-Channel MOSFET
  • Manufacturer: Toshiba
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Datasheet Summary

東芝伝導度変調形電界効果トランジスタ シリコンチャネル IGBT ○ 直列式自動調光ストロボ用 取扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 飽和電圧が低い。 ゲート駆動電圧が低い。 : VCE (sat) = 8V (最大) (IC = 130A) : VGE = 20V (標準) (IC = 130A) 単位: mm 最大定格 (Ta = 25°C) 項目 コレクタ- エミッタ間電圧 ゲ ー ト - エ ミ ッ タ 間 電 圧 コ レ ク タ 電 流 DC 1ms コ レ ク タ 損 失 接 保 締 付 合 存 け Ta = 25°C Tc = 25°C 温 温 ト ル 度 度 ク 記号 VCES VGES IC ICP PC PC Tj Tstg ― 定格 400 ±25 10 A 130 2.0 W 30 150 -55~150 0.6 °C °C N- m 単位 V V JEDEC EIAJ 東芝 ― ― 2-10R1C 電気的特性 (Ta = 25°C) 項目 ゲ コ ー レ ク ト タ 漏 し れ ゃ 断 電 電 流 流 記号 IGES ICES VGE (OFF) VCE (sat) Cies tr ton tf toff Rth (j-c) 測定条件 VGE = ±25V, VCE = 0 VCE = 400V, VGE = 0 IC = 1mA, VCE = 5V IC = 130A, VGE = 20V (パルス) VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz 最小 ― ― 4 ― ― ― ― ― ―...