| Part number | W2XN9155 |
|---|---|
| Datasheet | W2XN9155-XINSUN.pdf |
| File Size | 190.22 KB |
| Manufacturer | XINSUN |
| Description | Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors |
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江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片 W2XN9155 低频放大管壳额定双极型晶体管 文件编号 XS-J-038 版 本 号 13-A2-03 页 码 1/3 1 主要用途及主要特点 1.1 主要用途 用 W2XN9155 封装的成品管主要用于电子充电器电路中。 1.2 主要特点 z 开关损耗低、可靠性高 z 高温特性好 z 反向漏电小 2 芯片数据 芯片示意图 芯片尺寸（mm×mm） 芯片厚度（µm） 划片道 尺寸（µm） 键合区面积 基区 (µm2) 发射区 钝化层 正面电极 金属 厚度（µm） 背面电极 金属.
| Part Number | Description |
|---|---|
| W2XN934 | Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors |
| W2XN9386 | Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors |
| W2XN9500 | Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors |
| W2XN003 | High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor |
| W2XN004 | High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor |
| W2XN021 | High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor |
