XNS25N120T
FEATURES
- 先进的沟槽栅+场截止技术 Advanced Trench+FS IGBT technology
- 超低饱和压降 Low Collector-Emitter Saturation voltage
- 反并快恢复二极管 With anti-parallel fast recovery diode
- 最高结温 TJ = 175 °C Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- 应用领域/APPLICATIONS
- 电机控制器 Motor control
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1.Gate/栅极 2.Collector/集电极 3.Emitter/发射极
关键性能和封装信息/Key Performance and Package Parameters
Type XNS25N120T
VCE 1200V
IC 25A
VCEsat, Tvj=25℃ 1.8V
深圳芯能半导体技术有限公司
Shenzhen invsemi technology co,ltd IGBT_IPM_PIM_HVIC_深圳芯能半导体技术有限公司 (invsemi.)
Tvjmax 175℃
Package TO-247-3L
额定值、热阻 Ratings&Thermal Resistance
最大额定值/ Maximum Ratings
符号/Symbol 参数/Parameter
VCES
集电极-发射极电压 Collector-to-emitter voltage
集电极连续直流电流 DC Collector current
ICRM①
集电极可重复脉冲电流 Pulsed Collector current
二极管连续直流电流 Diode continuous forward current
IFRM①
二极管可重复脉冲电流 Diode pulsed current
VGES
栅极-发射极峰值电压 Gate to emitter voltage tsc
短路耐量 Short circuit withstand time
Ptot
总耗散功率 Power dissipation
Tvj
可工作结温 Operating Junction...
