• Part: EV2A16A
  • Description: 256K x 16-bit 3.3V Asynchronous Magnetoresistive RAM
  • Manufacturer: e2v
  • Size: 246.48 KB
Download EV2A16A Datasheet PDF
e2v
EV2A16A
EV2A16A is 256K x 16-bit 3.3V Asynchronous Magnetoresistive RAM manufactured by e2v.
Features - Single 3.3V Power Supply - Industrial Temperature Range (- 40°C to 110°C) and Military Temperature Range (- 55°C to 125°C) - Symmetrical High‐speed Read and Write with Fast Access Time (35 ns) - Flexible Data Bus Control: 8 bit or 16 bit Access - Equal Address and Chip‐enable Access Times - Automatic Data Protection with Low‐voltage Inhibit Circuitry to Prevent Writes on Power Loss - All Inputs and Outputs are Transistor‐transistor Logic (TTL) patible - Fully Static Operation - Full Nonvolatile Operation with 20 Years Minimum Data Retention Introduction The EV2A16A is a 4,194,304‐bit magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as 262,144 words of 16 bits. The EV2A16A is equipped with chip enable (E), write enable (W), and output enable (G) pins...