FP50R12KS4C Datasheet PDF

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP50R12KS4C Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip Dauergleichstrom DC forward current Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t - value TC = 80°C tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage TC = Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward c...