CET Datasheet | Specifications & PDF Download

9017R. 、 2 IC 3 9017R./，。， MOSFET ，。 9017R.。 4.2V， 。 1/10 ，9017R. 。，9017R.， 2uA 。 9017R. D ， 50uA。 9017R.，、，、 。 C 、  500mA  MOSFE

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HAA9809 ,4 ,AB /D ,5.4W HAA9809，、AB/D  AB、D ，4Ω5.4W  4 。  ，Charge_pump6.6V HAA9809，  D： ，， －5.4W (VDD=4.5V, RL =4Ω，NCN OFF THD+N=10%

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HAA9806 BOOST , 2 ,AB /D ,10W HAA9806BOOST，、  AB、D AB/D，2Ω10W  。  2，-10dB  D： HAA9806， －6.6W (VDD=4.2V, RL =4Ω，NCN OFF THD+N=10%)

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TCET1200, TCET1200G Vishay Semiconductors Optocoupler, Phototransistor Output A1 C2 4E 3C DVE 17197_4 17918_14 DESCRIPTION The TCET1200 consists

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TX72XX Series Features l Low voltage drop: 0.17V@100mA l High input voltage: 15V l Low temperature coefficient l Large Output Current: >0.35A 350mA L

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Standalone 1.8A Li-Lon Switch Mode Battery Charger ME4069 ME4069 General Description The ME4069 is a complete battery charger ME4069 Features  Inpu

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TRSF1604A(C) Data Sheet ekV1.5 eT 256K Embedded Flash ChipSourc Hi-Performance 16-bit Speech Processor TEL: +86-0755-27595155 27595165 FAX: +86-0755

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AXS4004 DC DC AXS4004 AXS4004 AXS4004、360KHz  5V（ 3%） DC DC，2.8V5V  2.8V~5V ，5V，：3%，  4.85V~5.15V 300mA。AXS4004，  ：300mA (VIN=4.5V)

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LTK5302 _G11W   LTK5302 BOOST ， 2Ω 11W 。 LTK5302 ， ， EN ， D 、D 、AB 、， IO ， 。   6.5V 7.1V  IO  FM  、 

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ChipSourceTek LTK5328PBTL_28W  LTK5328 LTK5328 2 8W ， PBTL 、、AGC 、AB/D 、 、 EMI。PBTL ， ，。 ， ，， ，。 LTK5328 2 ALC ， ，。 AB/D ，AB FM 。 RF 。  L

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MIX2052 6W D MIX2052、6W  D： D。 －6W (5.5V, RL =2 Ω，THD+N=10%) －3.9W (5.5V, RL =4 Ω，THD+N=10%) MIX2052PSRR  : 2.8V to 5.5V MIX2052RF。 

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HAA9801 ,4 ,AB /D ,5.8W HAA9801，、AB/D  AB、D ，3Ω5.8W  4 。  ，Charge_pump6.6V HAA9801，  ，-10dB ，，  3Ω ，HAA9801  D： ，， －5.8W (VDD=4

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors TIP120F,121F,122F DARLINGTON TRANSISTOR (NPN) TO-220F TI

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors TIP120F,121F,122F DARLINGTON TRANSISTOR (NPN) TO-220F TI

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CEM7808 Enhancement Mode Field Effect Transistor (2 X N and 2 X P Channel) PRELIMINARY FEATURES 30V, 6.2A, RDS(ON) = 33mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 60mΩ

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Digital transistors (built-in resistors) DTC143EE/DTC143EUA/ DTC143ECA/DTC143EKA/DTC143ESA DIGITAL

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4410 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS 30V RDS(on)MAX 13.5mΩ@1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4435 P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS -30V RDS(on)MAX 24mΩ@ -

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diode BZX584C2V4-BZX584C43 ZENER DIODE FEATURES • Planar Die Construct

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-523 Plastic-Encapsulate Diode BZX584C2V4-BZX584C43 ZENER DIODE FEATURES • Planar Die Construct

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