ChipSourceTek Datasheet | Pinout, Features, Price Comparison & PDF

LTK5302 _G11W   LTK5302 BOOST ， 2Ω 11W 。 LTK5302 ， ， EN ， D 、D 、AB 、， IO ， 。   6.5V 7.1V  IO  FM  、 

LTK5112 28W 、F、  LTK5112  LTK5112 LTK5112 4Ω-28W 、，F ，LTK5112 6-14.5V, ， ， LTK5112 F  6V-14.5V  D /AB 、 EMI  FM ，、  、AB 、D ， I

LTK5325 25.3WG   LTK5325 2 5.3W ，、、AB/D 。、 EMI， ，， ， ，。LTK5325  2.8V-5.5V  BOOST   （ALC）  D 、 EMI 2 ，  、 ，。  THD+N=10%，VB

HAA2018 AB /D ，5.3W HAA2018FM、AB/D、、  AB、D 5.3W。EMI  D： FM。 －5.3W (VDD=5.0V, RL =2Ω，THD+N=10%) －3.2W (VDD=5.0V, RL =4Ω，THD+N=10%) HAA20

ChipSourceTek LTK5328PBTL_28W  LTK5328 LTK5328 2 8W ， PBTL 、、AGC 、AB/D 、 、 EMI。PBTL ， ，。 ， ，， ，。 LTK5328 2 ALC ， ，。 AB/D ，AB FM 。 RF 。  L

HAA9809 ,4 ,AB /D ,5.4W HAA9809，、AB/D  AB、D ，4Ω5.4W  4 。  ，Charge_pump6.6V HAA9809，  D： ，， －5.4W (VDD=4.5V, RL =4Ω，NCN OFF THD+N=10%

LTK5313 、F、  LTK5313  LTK5313 LTK5313 F  2.8V-5.5V ， AGC 、AB/D  （AGC） 、、、 EMI。  ，  Charge Pump ， ， 6.5V ，， 。LTK5313 AGC ， ，

AXS2030 5.2W AB/D AXS2030、5.2W  AB/D AB/D。EMIFM  D： 。 －5.2W (VDD=5.0V, RL =2Ω，THD+N=10%)  AB： AXS2030PSRR －5.2W (VDD=5.0V, RL =2Ω，THD

AXS4054 600mA AXS4054 AXS4054 AXS4054/  ：600mA ，  0.5uA ，USB，  MOSFET、 ，。  ，  。 AXS40544.2V， 。 k 1/10，AXS4054。 ，AXS4054 eTe 05uA

0030(：CST-IC0890) 、 00308Ω1.5W， 。 0030，20dB ，0030，。 、 ¾ ¾ z 2.4V—6.8V z <1uA ¾ () z 8Ω1.5W k （Vcc=6.8V ,THD=10% ） ¾ e z SOP-8 z eT 、

AXS4004 DC DC AXS4004 AXS4004 AXS4004、360KHz  5V（ 3%） DC DC，2.8V5V  2.8V~5V ，5V，：3%，  4.85V~5.15V 300mA。AXS4004，  ：300mA (VIN=4.5V)

LTK5209 27.9W 、_F、   LTK5209 3Ω-7.9W、 F  2.8V-7V 。LTK5209 ，  （AGC） 7V。LTK5209 ，  D 、D 、AB 、， IO ，， EN MODE ， ，LTK5209 AB

HAA3606 2X30W Stereo Class D Audio Amplifier with 32dB fixed Gain HAA3606 General Description HAA3606 Features The HAA3606 is an analog input, ster

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HAA9806 BOOST , 2 ,AB /D ,10W HAA9806BOOST，、  AB、D AB/D，2Ω10W  。  2，-10dB  D： HAA9806， －6.6W (VDD=4.2V, RL =4Ω，NCN OFF THD+N=10%)

TC1508A 、TC1508A  MOS  、、   （1.6Ω）  1.8A/, 2.5A   SOP-16 、TC1508A  、TC1508A ek NC 1 16 OUTA T INA 2 15 PGND INB 3 14

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HAA9802 ,4 ,AB /D ,5.4W HAA9802，、AB/D  AB、D ，4Ω5.4W  4 。  ，Charge_pump6.6V HAA9802，  D： ，， －5.4W (VDD=4.5V, RL =4Ω，NCN OFF THD+N=10%

PE30100K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The PE30100K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate c