
MIP2E9DMY - Silicon MOSFET
MIP2E9DMY
MOS
(IPD)
■ • •
■ •
■ Ta = 25°C ± 3°C
VD 700 VC 10 ID 5.2 IDP 7.2 IC 0.1 Tch 150 Tstg −55 ∼ +150
V V A A A °C °C
■ •
TO-220-A2 •
1: Con
Rating:
1
★
(4 votes)