Saransk
KD210B1 - The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1
Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен
(7 views)
Saransk
KD210G1 - The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1
Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен
(7 views)
ON Semiconductor
TND306 - High-Speed CMOS Product Designation Definitions
TND306 High-Speed CMOS Product Designation Definitions
Prepared by: Steve West ON Semiconductor http://onsemi.com
TECHNICAL NOTE
HC vs. HCT
ON Semic
(4 views)
Saransk
KD210A1 - The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1
Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен
(4 views)
Saransk
KD210V1 - The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1
Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен
(4 views)
