.
Saransk
KD210A1 - The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1 Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен.
ON Semiconductor
TND306 - High-Speed CMOS Product Designation Definitions
TND306 High-Speed CMOS Product Designation Definitions Prepared by: Steve West ON Semiconductor http://onsemi.com TECHNICAL NOTE HC vs. HCT ON Semic.
Saransk
KD210B1 - The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1 Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен.
Saransk
KD210V1 - The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1 Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен.
Saransk
KD210G1 - The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1 Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен.