KD210A1 (Saransk)
The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1
Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен
(34 views)
KD210V1 (Saransk)
The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1
Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен
(21 views)
KD210B1 (Saransk)
The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1
Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен
(19 views)
KD210G1 (Saransk)
The letter designation of parameters for rectifier diodes
КД210А1, КД210Б1, КД210В1, КД210Г1
Буквенное обозначение параметров для выпрямительных диодов Uобр.и.max - максимально допустимое импульсное напряжен
(18 views)
TND306 (ON Semiconductor)
High-Speed CMOS Product Designation Definitions
TND306 High-Speed CMOS Product Designation Definitions
Prepared by: Steve West ON Semiconductor http://onsemi.com
TECHNICAL NOTE
HC vs. HCT
ON Semic
(15 views)
