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Jilin Sino
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SBL2060HFR Datasheet

SCHOTTKY BARRIER DIODE

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肖特基势垒二极管
R SCHOTTKY BARRIER DIODE
SBL2060
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV)
VRRM
Tj
VF(max)
202×10A
60 V
125
0.58V @Tj=125℃)
用途
z 高频开关电源
z 低压续流电路和保护电
APPLICATIONS
z High frequency switch
power supply
z Free wheeling diodes,
polarity protection
applications
产品特性
z共阴结构
z低功耗,高效率
z良好的高温特性
z有过压保护环,高可靠性
z环保(RoHS)产品
FEATURES
zCommon cathode structure
zLow power loss, high efficiency
zHigh Operating Junction
Temperature
zGuard ring for overvoltage
protectionHigh reliability
zRoHS product
TO-22O
TO-22OHF
TO-22OBF
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
印记 封装
Order codes
Marking Package
SBL2060Z
SBL2060 TO-220
SBL2060ZR
SBL2060 TO-220
SBL2060BF
SBL2060 TO-220BF
SBL2060BFR
SBL2060 TO-220BF
SBL2060HF
SBL2060 TO-220HF
SBL2060HFR
SBL2060 TO-220HF
无卤素
Halogen Free
NO
YES
NO
YES
NO
YES
包装
Packaging
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
器件重量
Device Weight
1.98 g(typ)
1.98 g(typ)
1.70 g(typ)
1.70 g(typ)
1.70 g(typ)
1.70 g(typ)
版本(Rev.)201003H
1/7



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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
项目
符号
Parameter
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
Symbol
VRRM
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
正向平均整流电流
Average forward
current
TC=100
(TO-220,
TO-220BF,
TO-220HF)
整个器件
per device
单侧
per diode
IF(AV)
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
(额定负载 8.3ms 半正弦波JEDEC 方法)
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
IFSM
最高结温
Maximum junction temperature
Tj
储存温度
Storage temperature range
TSTG
SBL2060
数值
Value
60
单位
Unit
V
60 V
20
A
10
150 A
175
-40~+150
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项目
测试条件
最小值 典型值
最大值
Parameter
IR
Tests conditions
Tj =25
Tj =125
VR=VRRM
Value(min) Value(typ) Value(max)
150
100
VF
Tj =25
Tj =125
IF=10A
0.55 0.65
0.53 0.58
单位
Unit
μA
mA
V
V
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项目
符号
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
TO-220
TO-220BF
TO-220HF
Symbol
Rth(j-c)
最小值
最大值 单 位
Value(min) Value(max) Unit
2.0
2.4 /W
2.4
版本(Rev.)201003H
2/7


Part Number SBL2060HFR
Description SCHOTTKY BARRIER DIODE
Maker Jilin Sino
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