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F11F80C3A Datasheet

Power MOSFET

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Nch
F11F80C3A
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220A3pin
Unit:mm
800V11A
特長
絶縁タイプ
高耐圧
高速スイッチング
低オン抵抗
Feature
IsolatedPackage
HighVoltage
FastSwitching
LowRON
0000
11F80C3A
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(ピーク)
ContinuousSourceCurrentDC
全損失
TotalPowerDissipation
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
Vdis
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR
(推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~150
150
800
±30
11
33
11
40
2
0.5
V
A
W
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=800V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±30V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=5.5A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID=5.5A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=0.5mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=5.5A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc
接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=400V,VGS=10V,ID=11A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=100V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=5.5A,RL=27.3Ω,VDD=150V,Rg=50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
800
4.2
2.1
──
V
─ 25
μA
─ ±0.1
8.3 ─
S
0.39 0.45 Ω
3.0 3.9
─ 1.5
V
─ 3.12 ℃/W
60 ─ nC
1600 ─
3.3 ─ pF
65 ─
21 ─
30 ─
225 ─
ns
35 ─
MOS-p2014.03〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/



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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
F11F80C3A
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
MOS-p2014.03〉)


Part Number F11F80C3A
Description Power MOSFET
Maker SHINDENGEN
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