CS830 Datasheet | Unknown Manufacturer

华晶分立器件 CS830 型 VDMOS 晶体管 1. 概述与特点 CS830 型 VDMOS 晶体管，主要用于功率开关。 其特点如下： - 开关速度快 - 可并联使用 - 驱动简单 - 封装形式：TO-220AB 10.7max 4.8max 1.4max φ3.84 6.9max 2. 电特性 2.1 极限值 除非另有规定，Tamb= 25℃ 参 数 名 称 符号 连续漏极电流 ID 栅源电压 VGS 雪崩电流 IAR 热阻（结到壳） RθJC Ta=25℃ 耗散功率 Ptot Tc=25℃ 结温 Tj 贮存温度 Tstg 2.2 电参数 除非另有规定，Tamb= 25℃ 参 数 名 称 漏源反向电压 通态电阻 阈值电压 跨导 漏源漏电流 栅源漏电流 关断延迟时间 输入电容 符 号 VDS r DSON VGS(TO) g FS IDSS VGSS td(off) Ci SS 测 试 条 件 VGS=0V, ID=250 u A VGS=10V, ID=2.7A VDS= VGS, ID=250u A VDS= 50V, ID=2.7A VDS=500V ,VGS=0V VGS=±20V VDD=250V,ID=3.1A RG=12Ω,RD=79Ω VGS=0V, VDS=25V f=1.0MHz 额定值 4.5 ±20 4.5 1.7 1.5 74 150 -55～150 单位 A V A ℃/W W ℃ ℃ 2.54 16.5max 12.5min 1.27 1.2max 2.67 2.54 0.4max 规 范 值 典 最小 最大 型 500 1.5 2 4 3.8 25 ±100 42 610 单位 V Ω V S μA n A ns p F a:脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2% 第 1 页 共 2 页 http://.. 华晶分立器件 3. 特性曲线 安全工作区(直流) Ptot-T 关系曲线 ID (A) 限制区 Ptot (W) Tcase=25℃ 10us 100us Ptot-Tcase 60 40 20 0 0 Ptot-Tamb 1ms 10ms 0.1 1 10 100 VDS...