Datasheet Summary
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 5 Ω Qg 15.3 nC
封装 Package
用途
- 高频开关电源
- 电子镇流器
- LED 电源
APPLICATIONS
- High frequency switching mode power supply
- Electronic ballast
- LED power supply
产品特性
- 低栅极电荷
- 低CrssB B (典型值 7.6pF)
- 开关速度快
- 产品全部经过雪崩测试
- 高抗 dv/dt 能力
- RoHS 产品
Features
- Low gate charge
- Low CrssB B (typical 7.6pF )
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号 Order codes
印记 Marking
封装...
