900,000+ datasheet pdf search and download

Datasheet4U offers most rated semiconductors data sheet pdf






ETC

KT8232A Datasheet Preview

KT8232A Datasheet

HIGH POWER compound NPN transistor

No Preview Available !

КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР
Предназначендляприменениявпереключающихиимпульсныхсхемах. Идеально
подходитдляэлектронныхсистемзажигания.
Имеетвстроенныйдиодвцепиколлектор- эмиттерисхемузащитыотвторичного
пробоя, R1 800 Ом,
R2 80 Ом.
Предельно-допустимыережимыэксплуатации
Наименованиепараметра
Напряжениеколлектор-эмиттер(IБ=0)
Напряжениеэмиттер-база(IC=0)
Постоянныйтокколлектора
Импульсныйтокколлектора
Постоянныйтокбазы
Импульсныйтокбазы
Постояннаярассеиваемаямощность
Энергияпробоянаиндуктивнуюнагрузку
Диапазонрабочихтемпературперехода
Максимальнаятемператураперехода
Обозначение Величина Ед. изм.
UCEO
350. . гр.А
300. . гр.Б
B
UEBО
IC
ICM
IB
I
PD
Е
Tj
Tjmax
5
20
30
3
5
125*
350
-60 до+150
+150
B
А
А
А
А
Вт
мДж
¦С
¦С
* приТк= +25 ¦С




ETC

KT8232A Datasheet Preview

KT8232A Datasheet

HIGH POWER compound NPN transistor

No Preview Available !

Электрическиехарактеристики
Наименованиепараметра
Граничноенапряжение
коллектор-эмиттер
(IC=100 мА)
Обратныйтокколлектор-
эмиттер(IB=0)
Обратныйтокэмиттер-база
(IC=0)
Статическийкоэффициент
передачитока
Напряжениенасыщения
коллектор-эмиттер
Напряжениенасыщениябаза-
эмиттер
Прямоенапряжениенадиоде
Обозна- Единица Величина Режим
чение измеренияМин. Макс. измерения
UCEO(sus)
В
350 500 группаА
250 350 группаБ
ICЕO
мА
0.1 U=300 B (А)
0.1 U=250 B (Б)
IЕВO
мА
20 UEB=5 B
hFE**
300 IC=5 А, U=10
B
UCE(sat)**
В
IC=8 А, IB=0.1
1.8
1.8
2.0
А
IC=10 А,
IB=0.25 А
IC=12 А, IB=0.3
А
UBE(sat)**
B
IC=8 А, IB=0.1
А
2.2
2.5
2.7
IC=10 А,
IB=0.25 А
IC=12 А, IB=0.3
А
UF B
2.5 IF=10 А
** измерениеданныхпараметровпроводитсявимпульсномрежиме: длительность
импульсов300 мкс, скважность1.5 %.
БлизкимианалогамитранзисторовКТ8232 А, БявляютсяприборыBU941ZP (SGS-
Thomson), атакжеКТ898 А, Б.
ОриентировочнаяоптоваяценанаIII кв. 1999 г. - 15 руб. 70 коп.
ПреимуществоКТ8232 А, Б- повышеннаяустойчивостьтранзистораквторичному
пробоюприработенаиндуктивнуюнагрузку. Типовоезначениеэнергии
вторичногопробоя- Е=1 Дж.


Part Number KT8232A
Description HIGH POWER compound NPN transistor
Maker ETC
PDF Download

KT8232A Datasheet PDF






Similar Datasheet

1 KT8232 HIGH POWER compound NPN transistor
ETC
2 KT8232A HIGH POWER compound NPN transistor
ETC
3 KT8232A1 NPN Transistor
INCHANGE
4 KT8232B HIGH POWER compound NPN transistor
ETC





Part Number Start With

0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O    P    Q    R    S    T    U    V    W    X    Y    Z

Site map

Webmaste! click here

Contact us

Buy Components

Privacy Policy