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FHP12N60 Datasheet Preview

FHP12N60 Datasheet

N-channel enhancement mode power MOS FET

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描述
FHP12N60 N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率
MOS场 效应管 。该产品可广泛适用于 AC-DC
关电源,DC-DC电源转换器,高压HPMW马达
驱动。
特点
12A,600V,RDS(on)(典型值)0.6
低电荷、低反向传输电容
开关速度快
FHP12N60说明书
极限值(TC=25℃)
参数名称
漏极源极电压
漏极电流 TC=25
栅源电压
耗散功率 TC=25
结温
储存温度
符号
VDSS
ID
VGS
PD
TJ
Tstg
特性参数值(TC=25℃)
数值
600
12
±30
180
150
-55150
单位
V
A
V
W
参数说明
符号
测试条件
漏源反向电压
BVDSS VGS=0V, ID=250µA
漏源截止电流
IDSS VDS =600V, VGS= 0V
栅源截止电流
IGSS VGS = ±30V. VDS= 0V
通态电阻
RDS(on) VGS=10V, ID=6A
-源极开启电压 VGS(th)
源漏二极管正向
导通电压
VFsD
VDS = VGS, ID = 250µA
IS=12A,VGS=0V
最小值
600
——
——
——
2.0
——
典型值
——
——
——
0.6
——
——
最大值
——
1.0
±100
0.7
4.0
1.4
单位
V
µA
nA
V
V
1页 共2




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N-channel enhancement mode power MOS FET

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封装外形
TO-220AB
图形尺寸
FHP12N60说明书
2页 共2


Part Number FHP12N60
Description N-channel enhancement mode power MOS FET
Maker Feihonltd
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