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Huajing Microelectronics

2CZ20100A0 Datasheet Preview

2CZ20100A0 Datasheet

Silicon Schottky rectifier diode

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产品概述
2CZ20100 A0 是共阴
极双肖特基二极管,具有
平衡的正向压降特性和高
温漏电特性。典型应用为
开关电源整流输出、续流
二极管、电池反向保护。
N 型肖特基整流二极管
2CZ20100 A0
R
产品特点
150℃工作结温
●高开关速度
●低正向压降
●低功率损耗
●保护环结构
符号
VRRM
IFAV
VFMAX
特征参数
额定值
100
2×10
0.85
单位
V
A
V
封装 TO-263
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
极限值(除非另有规定,Ta= 25℃)
参数名称
最大可重复峰值反向电压
最大直流阻断电压
平均整流电流
不重复峰值浪涌电流(8.3mssinusoidal
最高工作结温
贮存温度
符号
VRRM
VR
IFAV
IFSM
Tj
Tstg
额定值
100
100
10
150
150
-55150
单位
V
V
A
A
无锡华润华晶微电子有限公司
2017V01
1/4




Huajing Microelectronics

2CZ20100A0 Datasheet Preview

2CZ20100A0 Datasheet

Silicon Schottky rectifier diode

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2CZ20100 A0
电特性
参数名称
符号
测试条件
击穿电压
VBR IR=1mA
IF=10A ,Tj=25
正向压降
IF=10A ,Tj=125
VF*
IF=20A ,Tj=25
IF=20A ,Tj=125
反向漏电流
IR* VR=100V, Tj=125
VR=100V, Tj=25
脉冲测试,脉冲宽度 tp=300μs,占空比 δ2%
规范值
最小 典型 最大
100
0.85
0.70
0.95
0.80
15
0.05
R
单位
V
V
mA
有害物质说明
有毒有害物质或元素
邻苯二
邻苯二
多溴 多溴二
邻苯二
部件名称 铅 汞 镉 六价铬
甲酸二
甲酸二
联苯 苯醚
甲酸酯
(含量要求) Pb Hg Cd Cr(VI)
异丁酯
丁酯
PBB PBDE
DEHP
DIBP DBP
引线框
0.1% 0.1% 0.01% 0.1%
○○ ○ ○
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
管芯
○○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
焊料
×○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
说明
:表示该元素的含量在 2011/65/EU 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 2011/65/EU 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
邻苯二
甲酸丁
苄酯
BBP
0.1%
无锡华润华晶微电子有限公司
2017V01
2/4


Part Number 2CZ20100A0
Description Silicon Schottky rectifier diode
Maker Huajing Microelectronics
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