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Huajing Microelectronics

3DD6012A1 Datasheet Preview

3DD6012A1 Datasheet

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

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华润华晶分立器件
NPN 低频放大双极型晶体管
R
3DD6012A1
1 产品概述:
3DD6012A1 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺, 特征参数
分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关 BVCEO
速度和可靠性。
产品封装形式:TO-92,符合 RoHS 指令要求。
IC
Ptot Ta=25℃)
2 产品特点:
TO-92
530
1.2
0.8
V
A
W
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 开关损耗低
● 可靠性高
3 主要用途:
主要用于电子充电器、电子适配器等功率开关电路,是该类电子
产品的核心部件。
1
2
3
1. B 2. C 3. E
内部等效电原理图
C
B
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴二苯醚
Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)(PBB) PBDE
(含量要求) 0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
○:表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
无锡华润华晶微电子有限公司
1 页 共 5 2008




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Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

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华润华晶分立器件
4 电特性
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
R
额定值
900
530
9
1.2
Tc=25
Ta=25
1.2
0.8
150
-55150
3DD6012A1
单位
V
V
V
A
W
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
共发射极正向电流传输比
的静态值
小 电 流 下 hFE1 与 大 电 流 下
hFE2比值
*-集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
贮存时间
上升时间
下降时间
ICBO
ICEO
IEBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFEa
hFE1/
hFE2
VCE
a
sat
VBE
a
sat
ts
tr
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
VCB=900V, IE=0
VCE=530V, IB=B 0
VEB=9V, IC=0
IC=0.1mA
IC=1mA
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=0.3A
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.2A
IC=0.5A, IB=B 0.1A
IC=0.5A, IB=B 0.1A
UI9600IC=0.5A
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
规范值
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
900
530
9
15 35
0.75 0.9
0.5
1
1
1.2
5
1.0
1.5
3
2
1.5
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
μs
μs
μs
MHz
无锡华润华晶微电子有限公司
2页 共5
2008


Part Number 3DD6012A1
Description Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification
Maker Huajing Microelectronics
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