FD250R65KE3-K Datasheet - Infineon

FD250R65KE3-K IGBT

FD250R65KE3-K hochisolierendes Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode highly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode Potentielle Anwendungen Mittelspannungsantriebe Traktionsumrichter Elektrische Eigenschaften Niedriges VCEsat Mechanische Eigenschaften AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg = -55°C Gehäuse.

FD250R65KE3-K Features

* Low VCEsat Mechanical Features

* AlSiC base plate for increased thermal cycling capability

* Extended storage temperature down to Tstg = -55°C

* Package with CTI > 600

* Package with enhanced insulation of 10.4kV AC 10s

* High creepage and clearance

FD250R65KE3-K Datasheet (518.98 KB)