Integral KT8159B
PNP Transistor
| Part No. | KT8159B |
|---|---|
| Datasheet | KT8159B Download |
| Manufacturer |  Integral |
| Description | PNP Transistor |
| Buy | Stock & Price |
КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы
● Прототипы – BDV64A-C Особенности
● Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C
● Комплиментаpная паpа - КТ8158 Обозначение технических условий
● АДБК.432150.530 ТУ Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ8159 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8159 при Токр. среды = +25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ8159А КТ8159Б КТ8159В Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Время включения Время спада Время задержки Обозначение Uкэо гp.
● Прототипы – BDV64A-C Особенности
● Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C
● Комплиментаpная паpа - КТ8158 Обозначение технических условий
● АДБК.432150.530 ТУ Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ8159 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8159 при Токр. среды = +25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ8159А КТ8159Б КТ8159В Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Время включения Время спада Время задержки Обозначение Uкэо гp.
