JCS1N60 Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS1N60 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 1.3 A VDSS 600 V Rdson（Vgs=10V） 8.5 Ω Qg 9.1 nC 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 4.9pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JCS1N60 Key Features
- pulse （note 1）
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- VDS=480V, TC=125℃
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 7.7 8.5 Ω
- 247 319 pF
- 23 30 pF