JCS7HN60SC Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS7HN60C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 1.2 Ω Qg 32 n C 用途 - 高频开关电源 - 电子镇流器 - LED 电源 APPLICATIONS - High frequency switching mode power supply - Electronic ballast - LED power supply 产品特性 - 低栅极电荷 - 低 Crss (典型值 14p F) - 开关速度快 - 产品全部经过雪崩测试 - 高抗 dv/dt 能力 - Ro HS 产品 Features - Low gate charge - Low Crss (typical 14p F ) - Fast switching - 100% avalanche tested - Improved dv/dt capability - Ro HS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记...