900,000+ datasheet pdf search and download

Datasheet4U offers most rated semiconductors data sheet pdf






Jilin Sino

3CT12A Datasheet Preview

3CT12A Datasheet

Rever Blocking Triode Thyristors

No Preview Available !

反向阻断三极晶闸管
R Thyristors(SCR)
3CT12A
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IT(AV)
VDRM/VRRM
IGT
12A
600V
1-15mA
用途
半交流开关
相位控制
APPLICATIONS
Half AC switching
Phase control
序号
Pin
1
2
3
引线名称
Description
阴极
K
阳极
A
门极
G
TO-220C
产品特性
玻璃钝化芯片,高可靠性和一致性
低通态电流和高浪涌电流能力
环保 RoHS 产品
FEATURES
Glass-passivated mesa chip for reliability and uniform
Low on-state voltage and High ITSM
RoHS products
TO-263
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
3CT12A-O-C-N-C
3CT12A-O-C-N-B
3CT12A-O-S-B-B
印记
Marking
3CT12A
3CT12A
3CT12A
无卤素
Halogen Free
含卤
含卤
含卤
封装
Package
TO-220C
TO-220C
TO-263
包装
Packaging
袋装 Bag
条管 Tube
条管 Tube
版本:201510H
1/6




Jilin Sino

3CT12A Datasheet Preview

3CT12A Datasheet

Rever Blocking Triode Thyristors

No Preview Available !

R 3CT12A
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
项目
Parameter
断态重复峰值电压 Repetitive peak off-state voltage
反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage
通态平均电流 Average on-state current ( half sine wave)
通态方均根电流 On-state RMS current ( all conduction angles )
非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current
( half sine wave ,t=10ms)
I2t for fusing ( t=10ms)
门极峰值电流 Peak gate current
门极峰值电压 Peak gate voltage
反向门极峰值电压 Peak reverses gate voltage
门极峰值功率 Peak gate power
门极平均功率 Average gate power ( over any 20ms period )
存储温度 Storage temperature
操作结温 Operation junction temperature
符号
Symbol
VDRM
VRRM
ITAV
IT(RMS)
ITSM
I2t
IGM
VGM
VRGM
PGM
PG(AV)
Tstg
TVJ
数值
Value
600
600
12
18
单位
Unit
V
V
A
A
200
200
5
5
5
20
0.5
-40~150
125
A
A2s
A
V
V
W
W
静态特性 STATIC CHARACTERISTICS (TC=25unless otherwise stated)
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大
Parameter
Symbol
Tests conditions
min typ max
断 态 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
Blocking Current
IDRM
VDM= VDRM(MAX),
Tj=125
- - 1.0
反 向 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
Reverse Current
IRRM
VRM= VRRM(MAX),
Tj=125
- - 1.0
峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=40A
- 1.45 1.80
门极触发电流 Gate trigger current
IGT VDM=12V,IT=0.1A
1 4 15
门极触发电压 Gate trigger voltage
VGT VDM=12V,IT=0.1A
- 0.8 1.5
维持电流 Holding current
擎住电流 Latching current
IH VDM=12V, IGT=0.1A
IL VDM=12V, IGT=0.1A
- - 25
- - 40
单位
Unit
mA
mA
V
mA
V
mA
mA
动态特性 DYNAMIC CHARACTERISTICS (TC=25unless otherwise stated)
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大
Parameter
Symbol
Tests conditions
min typ max
断态临界电压上升率
dV/dt
VDM=67% VDRM(MAX),
50 200 -
单位
Unit
V/μs
版本:201510H
2/5


Part Number 3CT12A
Description Rever Blocking Triode Thyristors
Maker Jilin Sino
PDF Download

3CT12A Datasheet PDF





Similar Datasheet

1 3CT12 SCR
Wuxi Huajing Microelectronics
2 3CT12A Rever Blocking Triode Thyristors
Jilin Sino
3 3CT12B Thyristors
JILIN SINO
4 3CT12S TRIACS
Jilin Sino





Part Number Start With

0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O    P    Q    R    S    T    U    V    W    X    Y    Z

Site map

Webmaste! click here

Contact us

Buy Components

Privacy Policy