R 3CT12A
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
Parameter
断态重复峰值电压 Repetitive peak off-state voltage
反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage
通态平均电流 Average on-state current ( half sine wave)
通态方均根电流 On-state RMS current ( all conduction angles )
非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current
( half sine wave ,t=10ms)
I2t for fusing ( t=10ms)
门极峰值电流 Peak gate current
门极峰值电压 Peak gate voltage
反向门极峰值电压 Peak reverses gate voltage
门极峰值功率 Peak gate power
门极平均功率 Average gate power ( over any 20ms period )
存储温度 Storage temperature
操作结温 Operation junction temperature
符号
Symbol
VDRM
VRRM
IT（AV）
IT(RMS)
ITSM
I2t
IGM
VGM
VRGM
PGM
PG(AV)
Tstg
TVJ
数值
Value
600
600
12
18
单位
Unit
V
V
A
A
200
200
5
5
5
20
0.5
-40~150
125
A
A2s
A
V
V
W
W
℃
℃
静态特性 STATIC CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise stated)
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大
Parameter
Symbol
Tests conditions
min typ max
断 态 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
Blocking Current
IDRM
VDM= VDRM(MAX),
Tj=125℃
- - 1.0
反 向 峰 值 重 复 电 流 Peak Repetitive
Reverse Current
IRRM
VRM= VRRM(MAX),
Tj=125℃
- - 1.0
峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=40A
- 1.45 1.80
门极触发电流 Gate trigger current
IGT VDM=12V,IT=0.1A
1 4 15
门极触发电压 Gate trigger voltage
VGT VDM=12V,IT=0.1A
- 0.8 1.5
维持电流 Holding current
擎住电流 Latching current
IH VDM=12V, IGT=0.1A
IL VDM=12V, IGT=0.1A
- - 25
- - 40
单位
Unit
mA
mA
V
mA
V
mA
mA
动态特性 DYNAMIC CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise stated)
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大
Parameter
Symbol
Tests conditions
min typ max
断态临界电压上升率
dV/dt
VDM=67% VDRM(MAX),
50 200 -
单位
Unit
V/μs
版本：201510H
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