PDMB75E6 Description
－ － ２.１ － 3,200 ０.１５ ０.２５ ０.１０ ０.３５ Ｍａｘ. ２.４ ０.２５ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 150A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） Ｍｉｎ. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 14 12 10 8 6 4 2 0 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs.