2N4923 Datasheet | onsemi

ON Semiconductor ) Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors . . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. These high- performance plastic devices feature: 2N4921 thru 2N4923 - - ON Semiconductor Preferred Device - Low Saturation Voltage - - - - - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - PD = 30 W @ TC = 25_C Excellent Safe Operating Area Gain Specified to IC = 1.0 Amp plement to PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920 1 AMPERE GENERAL- PURPOSE POWER TRANSISTORS 40- 80 VOLTS 30 WATTS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ - MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB 2N4921 40 40 2N4922 60 60 2N4923 80 80 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector- Emitter Voltage Collector- Base Voltage Emitter- Base Voltage 5.0 1.0 3.0 1.0 Collector Current - Continuous (1) Base Current - Continuous Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating & Storage Junction Temperature Range PD 30 0.24 Watts W/_C _C TJ, Tstg - 65 to +150 3 2 1 STYLE 1: PIN 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE CASE 77- 09 TO- 225AA TYPE THERMAL CHARACTERISTICS (2) Characteristic Symbol θJC Max Unit Thermal Resistance, Junction to Case _C/W (1) The 1.0 Amp maximum IC value is based upon JEDEC current gain requirements. The 3.0 Amp maximum value is based upon actual current handling capability of the device (see Figures 5 and 6). (2) Remend use of thermal pound for lowest thermal resistance. - Indicates JEDEC...