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F1047A - Infrared Emitting Diode Chip

Description

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss Infrared emitting die, top side cathode connection Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss, Oberfläche aufgerauht.

Features

  • Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in TOPLED® package.
  • Chipsize: 300 x 300 µm².
  • Very highly efficient GaAlAs LED.
  • High reliability.
  • High pulse handling capability.
  • Good spectral match to silicon photodetectors.
  • Frontside metallization: aluminum Backside metallization: gold alloy.
  • Delivery: diced on foil.

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Datasheet Details

Part number F1047A
Manufacturer ams OSRAM
File Size 99.61 KB
Description Infrared Emitting Diode Chip
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Part Number Description
F1047B Infrared Emitting Diode Chip

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www.DataSheet4U.com GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung • Lieferung: vereinzelt auf Folie Anwendungen • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Lichtschranken bis 500 kHz • Sensorik • Diskrete Optokoppler I Features • Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in TOPLED® package.
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