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Description
The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.
PDPM6N20V3 P-Channel MOSFET
VDS(V) -20
MOSFET Product Summary
RDS(on)(mΩ)
ID(A)
110 @ VGS=-4.5V
-3
Internal structure
（S1） 1 （G1） 2 （D2） 3
6 （D1） 5 （G2） 4 （S2）
Bottom View
（D1） 6
1 （S1）
D1
（G2） 5
2 （G1）
（S2） 4
D2 3 （D2）
Absolute maximum rating@25℃
Rating
Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current- Continuous Drain Current- Pulsed Total Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Symbol
VDS VGS ID IDM PD TJ,TSTG
Symbol
RθJA
Value
-20 ±12 -3 -10
1 -55 to +150
Units
V V A A W ℃
Max.
125
Units
℃/W
Rev.06.2
1
www.prisemi.
PDPM6N20V3 Datasheet
