PDPM6N20V3 Overview
Description
The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. PDPM6N20V3 P-Channel MOSFET VDS(V) -20 MOSFET Product Summary RDS(on)(mΩ) ID(A) 110 @ VGS=-4.5V -3 Internal structure （S1） 1 （G1） 2 （D2） 3 6 （D1） 5 （G2） 4 （S2） Bottom View （D1） 6 1 （S1） D1 （G2） 5 2 （G1） （S2） 4 D2 3 （D2） Absolute maximum rating@25℃ Rating Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current- Continuous Drain Current- Pulsed Total Power Dissipation Operating and Storage Junction Temperature Range Parameter Symbol VDS VGS ID IDM PD TJ,TSTG Symbol RθJA Value -20 ±12 -3 -10 1 -55 to +150 Units V V A A W ℃ Max.
