PNM6N20V10E Overview
Description
The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. VDS(V) 20 MOSFET Product Summary RDS(on)(mΩ) ID(A) 7.5 @ VGS=4.5V 10 PNM6N20V10E N-Channel MOSFET Pin 1 Drain DDG Source DDS DFN2*2-6L（Bottom View） （D） 1 （D） 2 （G） 3 6 （D） 5 （D） 4 （S） Internal structure Absolute maximum rating@25℃ Rating Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current Continuous TA=25℃ Pulsed (Note 1) Total Power Dissipation TA=25℃ ESD (Human Body Model [BM]) Operating and Storage Junction Temperature Range Parameter （D） （D） （S） 654 2010EDrain Source YYWW 123 （D） （D） （G） YY =Year Code WW =Week Code Marking (Top View) Symbol VDS VGS ID IDM PD VESD TJ,TSTG Value 20 ±12 10 30 1.5 2 -55 to 150 Symbol RθJA Max.
