PPM6N12V10 Overview
Description
The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. PPM6N12V10 P-Channel MOSFET VDS(V) -12 MOSFET Product Summary RDS(on)(mΩ) ID(A) 12 @ VGS=-4.5V -10 Internal structure （D）1 （D）2 （G）3 6（D） 5（D） 4（S） Bottom View （D） （D） （G） 1 2 3 D S 6 5 4 （D） （D） （S） Absolute maximum rating@25℃ Rating Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current Continuous Pulsed TA=25℃ TA=70℃ TA=25℃ Total Power Dissipation TA=125℃ Operating and Storage Junction Temperature Range Symbol VDS VGS ID ID PD PD TJ,TSTG Parameter (Note 1a) (Note 1b) Symbol RθJA RθJA RθJC Value -12 ±8.0 -10 -40 2.4 0.9 -55 to +150 Units V V A A W W ℃ Max.
