gaas infrared emitter.
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q q
Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Großer Öffnungskege.
q IR remote control and sound transmission q Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Typ Type LD 242-2 LD 242-3 LD 242 E.
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom, TC = 25 °C Forward current Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung, TC = 25 °C Power dissipation Wärmewiderstand Ther.
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