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Siemens Electronic Components Datasheet

LD261 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

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GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Chip
2.4 position
2.1
LD 261
0.5
0.4
0.4 A
0.25
0.7 0 ... 5 0.15
0.6 2.1
1.5
A 2.54 mm spacing
Radiant sensitive area
(0.4 x 0.4)
1.4
1.0
Collector (BPX 81)
Cathode (LD 261)
1) Detaching area for tools, flash not true to size.
Approx. weight 0.03 g
GEO06021
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Gruppiert lieferbar
q Gehäusegleich mit BPX 81
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q Available in bins
q Same package as BPX 81
Anwendungen
q Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Lochstreifenleser
q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”
Applications
q Miniature photointerrupters
q Punched tape readers
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Typ
Type
LD 261
LD 261-5
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q395
Q62703-Q67
Gehäuse
Package
Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenför-
mig im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeich-
nung: Nase am Lötspieß
Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs
lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: projec-
tion at solder lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01



Siemens Electronic Components Datasheet

LD261 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

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LD 261
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Top; Tstg
Tj
VR
IF
IFSM
Ptot
RthJA
RthJL
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 50 mA, tp = 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 50 m A, tp = 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Symbol
Symbol
λpeak
∆λ
ϕ
A
L×B
L×W
H
Wert
Value
– 40 ... + 80
Einheit
Unit
°C
80 °C
5V
50 mA
1.6 A
70 mW
750 K/W
650 K/W
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
55 nm
± 15
0.25
0.5 × 0.5
1.3 ... 1.9
Grad
deg.
mm2
mm
mm
Semiconductor Group
2
1997-11-01


Part Number LD261
Description GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
Maker Siemens Group
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