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Siemens Electronic Components Datasheet

LD271H Datasheet

INFRARD EMITTER

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GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Area not flat
0.6
9.0
8.2
0.4 7.8
7.5
5.9
5.5
1.8
1.2
14.0
13.0
4.8
4.2
11.4
11.0
Cathode Chip position
Approx. weight 0.5 g
Cathode
29
27
1.8
1.2
9.0
8.2
7.8
7.5
0.6
0.4
GEX06239
5.9
5.5
Area not flat
Chip position
4.8
4.2
0.6
0.4
GEO06645
Approx. weight 0.2 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q Hohe Zuverlässigkeit
q Hohe Impulsbelastbarkeit
q Lange Anschlüsse
q Gruppiert lieferbar
q Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q High reliability
q High pulse handling capability
q long leads
q Available in groups
q Same package as SFH 300, SFH 203
Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q Gerätefernsteuerungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Applications
q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q Remote control of various equipment
q Photointerrupters
Semiconductor Group
1
1997-11-01



Siemens Electronic Components Datasheet

LD271H Datasheet

INFRARD EMITTER

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LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Typ
Type
LD 271
LD 271 L
LD271 H
LD271 HL
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q148
Q62703-Q833
Q62703-Q256
Q62703-Q838
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’)
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Top; Tstg
Tj
VR
IF
IFSM
Ptot
RthJA
Wert
Value
– 55 ... + 100
Einheit
Unit
°C
100 °C
5V
130 mA
3.5 A
220 mW
330 K/W
Semiconductor Group
2
1997-11-01


Part Number LD271H
Description INFRARD EMITTER
Maker Siemens Group
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