BPY63P Datasheet, Siemens Semiconductor Group

q Especially suitable for applications from Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht 400 nm to 1100 nm q C.

from Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht 400 nm to .

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Symbol Symbol Wert Value
  – 55 ... + 100 1 Einheit Unit °C V Top; Tstg VR Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteris.