SVD4N65M Description
L=10mH,IAS=4.13A,VDD=50V,开始温度 TJ=25°C; 2. 脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%; 3. mm 版本号:1.0 2009.12.16 共7页 第6页 Free Datasheet http://..net/ SVD4N65T/F/M 封装外形图 (续) TO-220-3L 单位:.
SVD4N65M is (SVD4N65T/F/M) 650V N-CHANNEL MOSFET manufactured by Silan.
| Part Number | Description |
|---|---|
| SVD4N65F | (SVD4N65T / SVD4N65F) 650V N-CHANNEL MOSFET |
| SVD4N65T | (SVD4N65T / SVD4N65F) 650V N-CHANNEL MOSFET |
| SVD4N60D | 600V N-Channel MOSFET |
| SVD4N60DTR | 600V N-Channel MOSFET |
| SVD4N60F | 600V N-Channel MOSFET |
L=10mH,IAS=4.13A,VDD=50V,开始温度 TJ=25°C; 2. 脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%; 3. mm 版本号:1.0 2009.12.16 共7页 第6页 Free Datasheet http://..net/ SVD4N65T/F/M 封装外形图 (续) TO-220-3L 单位:.