Datasheet Details
| Part number | GT10G101 |
|---|---|
| Manufacturer | Toshiba |
| File Size | 343.42 KB |
| Description | Silicon N-Channel MOSFET |
| Download | GT10G101 Download (PDF) |
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| Part number | GT10G101 |
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| Manufacturer | Toshiba |
| File Size | 343.42 KB |
| Description | Silicon N-Channel MOSFET |
| Download | GT10G101 Download (PDF) |
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GT10G101 東芝伝導度変調形電界効果トランジスタ シリコンチャネル IGBT GT10G101 ○ 直列式自動調光ストロボ用 取扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 飽和電圧が低い。 ゲート駆動電圧が低い。 : VCE (sat) = 8V (最大) (IC = 130A) : VGE = 20V (標準) (IC = 130A) 単位: mm 最大定格 (Ta = 25°C) 項目.
| Brand Logo | Part Number | Description | Manufacturer |
|---|---|---|---|
| ETC | GT10G101 | Silicon N-Channel MOSFET | ETC |
| Part Number | Description |
|---|---|
| GT15J341 | Silicon N-Channel IGBT |