GT10G101 Description
GT10G101 東芝伝導度変調形電界効果トランジスタ シリコンチャネル IGBT GT10G101 ○ 直列式自動調光ストロボ用 取扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 飽和電圧が低い。 ゲート駆動電圧が低い。 : VCE (sat) = 8V (最大) (IC = 130A) : VGE = 20V (標準) (IC = 130A) 単位:.
GT10G101 is Silicon N-Channel MOSFET manufactured by Toshiba.
| Manufacturer | Part Number | Description |
|---|---|---|
| ETC Unknown Manufacturer |
GT10G101 | Silicon N-Channel MOSFET |
GT10G101 東芝伝導度変調形電界効果トランジスタ シリコンチャネル IGBT GT10G101 ○ 直列式自動調光ストロボ用 取扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 飽和電圧が低い。 ゲート駆動電圧が低い。 : VCE (sat) = 8V (最大) (IC = 130A) : VGE = 20V (標準) (IC = 130A) 単位:.