GT10G101 (Toshiba) Silicon N-Channel MOSFET GT10G101 トランジスタ シリコンチャネル IGBT GT10G101 ○ ストロボ いがなエンハンスメントタイプです。 がい。 ゲートがい。 : VCE (sat) = 8V () (IC = 130A) : VGE = 20V () (IC = 130A) : mm (Ta = 25 (20 views)
