Toshiba
GT10G101 - Silicon N-Channel MOSFET
GT10G101
トランジスタ シリコンチャネル IGBT
GT10G101
○ ストロボ
いがなエンハンスメントタイプです。 がい。 ゲートがい。 : VCE (sat) = 8V () (IC = 130A) : VGE = 20V () (IC = 130A) : mm
(Ta = 25
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