2T837A - PNP Transistor
(INCHANGE)
isc Silicon PNP Power Transistor
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -80V(Min) ·With TO-220 packaging ·Minimum Lot-to-Lot v.
2T837B - Transistor
(ETC)
2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для п.
2T837T - Transistor
(ETC)
2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для п.
2T803A - NPN Transistor
(ETC)
.
2T808A - NPN Transistor
(ETC)
.
2T808A-2 - NPN Transistor
(ETC)
.
2T818A - PNP Transistor
(ETC)
.
2T818B - PNP Transistor
(ETC)
.