FP750SOT343 Datasheet, PHEMT, Filtronic Compound Semiconductors

FP750SOT343 Features

Phemt
0.5 dB Noise Figure at 2 GHz
21 dBm P-1dB 2 GHz
17 dB Power Gain at 2 GHz
33 dBm IP3 at 2 GHz
45% Power-Added-Efficiency
DE

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Part number:

FP750SOT343

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Filtronic Compound Semiconductors

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Packaged low noise/ medium power phemt. AND APPLICATIONS The FP750SOT343 is a packaged AlGaAs/InGaAs/AlGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) intended

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FP750SOT343 Application

Applications The FP750SOT343 is a packaged AlGaAs/InGaAs/AlGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) intended for applications re

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