FZ1200R45HL3 Datasheet - Infineon

FZ1200R45HL3 IGBT-Module

FZ1200R45HL3 IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode VCES = 4500V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A Potentielle Anwendungen Hochleistungsumrichter Mittelspannungsantriebe Motorantriebe USV-Systeme Windgeneratoren Elektrische Eigenschaften Große DC-Festigkeit Hohe dynamische Robustheit Hohe Kurzschlussrobustheit

FZ1200R45HL3 Features

* High DC stability

* High dynamic robustness

* High short-circuit capability

* Low VCEsat

* Trench IGBT 3

* VCEsat with positive temperature coefficient Mechanical Features

* AlSiC base plate for increased thermal cycling capability

FZ1200R45HL3 Datasheet (527.37 KB)