MIP2E1D
Matsushita
437.54kb
High-performance ipd for battery chaegers.
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📁 Related Datasheet
MIP2E1DMC - IPD
(Panasonic)
(IPD)
MIP2E1DMC (
MOS
I
• •
)
Unit : mm
(1.4)
10.5±0.3 4.6±0.2 1.4±0.1
3.0±0.5 0 to 0.5
1.4±0.1 0.8±0.1 2.54±0.3 2.5±0.2
I
Ta = 25°C ± 3°C
VD VC.
MIP2E1DMS - Silicon MOS-type integrated circuit
(Panasonic)
インテリジェントパワーデバイス (IPD)
MIP2E1DMS
シリコン MOS
のをに によりリアルタイムのが
スイッチング
Ta = 25°C±3°C
ドレイン コントロール ピーク コントロール チャネル
VD VC ID IDP IC Tch.
MIP2E1DMTSCF - Silicon MOSFET
(Panasonic)
.
MIP2E1DMU - Silicon MOS-type integrated circuit
(Panasonic)
MIP2E1DMU
MOS
(IPD)
■ • •
■ •
■ Ta = 25°C ± 3°C
VD 700 VC 10 ID 0.43 IDP 0.61 IC 0.1 Tch 150 Tstg −55 ∼ +150
V V A A A °C °C
■ •
U-G4 •
1: Contro.
MIP2E2D - High-Performance IPD for Battery Chaegers
(Matsushita)
I
(MIP022X)
IPD
I
G(
12 V/3 A
: 100 VAC
0.3 W
: 100 VAC
G IPD
(MIP022X)
MIP022X
G
IPD
IPD PWM
60 W
: 1/20)
; 70 mW, ; 70 ,
264 VAC 26.
MIP2E2DMU - IPD
(Panasonic)
(IPD)
MIP2E2DMU
MOS
■
• •
■
• U-G2 • 1: Control 2: Source 3: Drain
■
•
■
Ta = 25°C ± 3°C
VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 0.585 0.82 0.1 150 −55 ∼.
MIP2E2DMY - Silicon MOSFET
(Panasonic)
MIP2E2DMY
MOS
(IPD)
■ • •
■ •
■ Ta = 25°C ± 3°C
VD 700
V
VC 10 V
ID 0.585 A
IDP 0.82
A
IC 0.1 A
Tch 150 °C
Tstg −55 ∼ +150 °C
■ •
TO-220-A.
MIP2E3D - High-Performance IPD for Battery Chaegers
(Matsushita)
I
(MIP022X)
IPD
I
G(
12 V/3 A
: 100 VAC
0.3 W
: 100 VAC
G IPD
(MIP022X)
MIP022X
G
IPD
IPD PWM
60 W
: 1/20)
; 70 mW, ; 70 ,
264 VAC 26.
MIP2E3DMS - Silicon MOS-type integrated circuit
(Panasonic)
インテリジェントパワーデバイス (IPD)
MIP2E3DMS
シリコン MOS
のをに によりリアルタイムのが
スイッチング
Ta = 25°C±3°C
ドレイン コントロール ピーク コントロール チャネル
VD VC ID IDP IC Tch.
MIP2E3DMU - Silicon MOSFET
(Panasonic)
MIP2E3DMU
MOS
(IPD)
■ • •
■ •
■ Ta = 25°C ± 3°C
VD 700
V
VC 10 V
ID 1.15 A
IDP 1.60
A
IC 0.1 A
Tch 150 °C
Tstg −55 ∼ +150 °C
■ •
U-G4 •
1:.
