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F0118G - GaAs Infrared Emitting Diode

Datasheet Summary

Description

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß, Infrared emitting die, top side anode connection 2003-04-10 1 F 0118G Elektrische Werte (TA = 25 °C) Electrical values1) (TA = 25 °C) Bezeichnung Parameter Emissionswellenlänge Peak wavelength IF = 10 mA Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax,

Features

  • Typ. total radiant power: 24 mW @ 100 mA in TOPLED® package.
  • Chip size 300 x 300 µm2.
  • Peak wavelength: 950 nm.
  • Very highly efficient GaAs LED.
  • Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents.
  • DC or pulsed operations are possible.
  • High reliability.
  • High pulse handling capability.

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Datasheet preview – F0118G

Datasheet Details

Part number F0118G
Manufacturer OSRAM
File Size 66.76 KB
Description GaAs Infrared Emitting Diode
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GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • Emissionswellenlänge: 950 nm • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen • Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit Anwendungen • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Lichtschranken bis 500 kHz • Sensorik I Features • Typ. total radiant power: 24 mW @ 100 mA in TOPLED® package.
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