F0118G Datasheet (OSRAM) - GaAs Infrared Emitting Diode

F0118G, GaAs Infrared Emitting Diode

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß, Infrared emitting die, top side anode connection 2003-04-10 1 F 0118G Elektrische Werte (TA = 25 °C) Electrical values1) (TA = 25 °C) Bezeichnung Parameter Emissionswellenlänge Peak wavelength IF = 10 mA Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax,

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Typ.

Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse Chipgröße 300 x 300 µm2 Emissionswellenlänge: 950 nm GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich Hohe Zuverlässigkeit

F0118G Features

* Typ. total radiant power: 24 mW @ 100 mA in TOPLED® package.

* Chip size 300 x 300 µm2

* Peak wavelength: 950 nm

* Very highly efficient GaAs LED

* Good linearity (Ie = f [IF]) at high currents

* DC or pulsed operations are possible

* High re